碎硅片回收切割常见问题

1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。

2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。

表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。

3、密布线痕(密集型线痕)：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。

4、错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧，以及托板螺丝松动，而产生的线痕。

在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。

线痕和TTV: 线痕和TTV是在硅片加工当中遇到的比较头疼的事，时不时就会出现一刀，防不胜防。TTV是在入刀的时候出现，而线痕是在收线弓的时候容易出现。

多晶硅料回收的流程

1、硅料固体:液体蒸馏回收四氯化硅料提纯多晶硅料生产线生产的四个四氯化硅料气体，纯气体四氯化硅料在四个无填料喷雾吸收塔通过化学反应，二氧化硅料和氯化氢生成的固体形状，二氧化硅料固体形状到过滤设备和干燥设备，干燥硅料硅料处理包装进店，二氧化硅料固体恢复过程。

2、四种气态四氯化硅料盐酸复苏纯化学反应发生在无填料喷雾吸收塔，生成氯化氢气体，氯化氢气体在液体真空抽吸泵完成反应生成盐酸，集中的过程要求，集中存储。

组件回收需要对组件进行拆分，将铝边框、玻璃和接线盒部分去除，得到硅晶片。有效的完整硅晶片回收方法有“无机酸溶解法”和“热处理法”。其中，后者又分为“固定容器热处理法”和“流化床反应器热处理法”。

组件回收无机酸溶解法：用硝酸和过氧化氮混合酸，在一定的温度条件下，经过一段时间将EVA溶解掉，与玻璃分类。此法可保持晶硅片的完整，但需要进一步对硅晶片进行处理。

组件回收固定容器热处理法：将光伏组件放入焚烧炉中，设置反应温度600℃进行焚烧。焚烧完成后，将电池、玻璃和边框等手工分离。回收的各类材料进入相应的回收程序，塑料类的材料完全焚烧。

多晶硅回收 太阳能级多晶硅一级料：能够直接用作生产太阳能光伏多晶硅锭、单晶硅棒的高纯度多晶硅块。上述产品型号的定义以中国国家标准GB/T 25074为准。

太阳能级多晶硅二级料：在用于生产太阳能光伏多晶硅锭、单晶硅棒时需要与高纯度的多晶硅混合使用。上述产品型号的定义以中国国家标准GB/T 25074为准。