单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。

它的工序，主要有：

切片：就是将硅棒切成薄硅片，具有一定的几何尺寸。

退火：让硅片表面发生氧化反应，通过氧化炉，使其表面形成二氧化硅保护层。

倒角：硅片进行修整，修整成圆弧形，避免产生缺陷，增加其平坦度。

商业化太阳能电池就是清洁能源的一种，采用的是的晶硅，其中的单晶和多晶硅电池的特点就是光电转换的效率比较高，使用的寿命较长，稳定性比较好，当然成本也是较高的。

伴随着半导体制造技术的不断提升与完善，虽然硅片制造成本在不断降低，但是作为中心材质的太阳能电池所用硅片的切割成本一直居高不下，甚至可以占到太阳能总制造成本的30%。