多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。

为了进一步降低多晶硅太阳电池的成本，研究了硅片厚度对多晶硅太阳电池的短路电流密度、开路电压和效率的影响。可以看出，在保证多晶硅太阳电池性能不变或者提高的前提下，硅片厚度可以减小到200μm，如果继续减小厚度，电池的性能将会下降。

对硅片行业稍微有些了解的人都应该知道，废硅片回收之后是必须要清洗的，而且我们还要对清洗过程给予必要的重视，不能马马虎虎，因为硅片回收清洗的效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。

硅有结晶态和非晶。常温下硅单晶介电系数11.7，对光具有高的折射率(n=3.42)，反射损失较大，涂以适当减反射膜可大大提高透过率。硅中的杂质会引起光的吸收，氧和碳的吸收带在室温下分别位于1107和607cm-1处。