多晶硅料回收生产能力逐渐增加，原材料制造商有了更多的选择，也会放弃一些使用价值低浪费。但是这个过程是相对简单的，低成本的回收材料仍然可以降 低成本，是主要的坩埚基地和半导体材料浪费等等。

我们必须除了石英坩埚基地和半成品半导体晶片和金属加工电路通常使用洗衣篮，篮子静态浸泡12小时(根据酸的浓度和比例)。这种方法是简单和节省成本。问题的表面仍在物质和酸反应的过程中，酸处理能力需要慢慢地释放了很长一段时间。在这种情况下，如果加入循环泵，用于混合酸，缩短浸泡时间可以统一处理的效果。

如果使用超过锅小颗粒床的传统方法，打破细胞和电路的半导体材料浸泡很难处理或将导致更多的浪费。因为在处理的过程中杂质、酸材料中心的处理能力大大减弱，和外围酸的强度不会改变，而且硅材料的损失。在这种情况下，应该使用倾斜浸泡，利用浮力，使材料均匀性过程中酸浸过程。

制造工艺

多晶硅太阳能电池制造过程中消耗的能量要比单晶硅太阳能电池少30％左右，因此多晶硅太阳能电池占全球太阳能电池总产量的份额大，制造成本也小于单晶硅电池，所以使用多晶硅太阳能电池将会更加的节能、环保！

其实可供制造太阳电池的半导体材料很多，随着材料工业的发展、太阳电池的品种将越来越多。目前已进行研究和试制的太阳电池，除硅系列外，还有硫化镉、砷化镓、铜铟硒等类型的太阳电池，举不胜举，通常这些材料都会用来制作非晶硅电池。

所以，我们在选择光伏组件的时候，建议根据实际情况选择晶体硅光伏组件比较成熟的产品，对于单晶、多晶，一直有争论，我们安装商对家庭光伏发电系统的发电量并无多大区别，单晶的利用面积会比较高，单晶在面积利用率上会比较好；多晶市场比例比较高，应用的比较广，价格方面也有一定的优势。但我们要明白一点，对于同样功率的光伏系统，发电量是相同的。

具体流程介绍如下：切片：将单晶硅棒切成具有几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣都可以利用。退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应的材料，使硅片技术表面形成二氧化硅再次生产。倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅片废水和硅渣。硅片再利用一直秉承“变废为宝、净化环境”的理念，融合专业的服务体系和先进的再加工技术，为国家的环保事业，做出着应有的贡献。

对硅片行业稍微有些了解的人都应该知道，废硅片回收之后是必须要清洗的，而且我们还要对清洗过程给予必要的重视，不能马马虎虎，因为硅片回收清洗的效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。下面我们就来了解一下费硅片回收清洗的重要性。

现在人们已研制出了很多种可用于废硅片回收清洗的工艺方法和技术，常见的有：湿法化学清 洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技 术、气相清洗、非浸润液体喷射法、废硅片回收在线真空清洗技术、RCA标准清洗、等离子体清洗、原位水冲洗法等。这些方法和技术现已广泛应用于废硅片回收 加工和器件制造中的废硅片回收清洗。

表面沾污指硅表面上沉积有粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化物等的一种或几种。超纯表面定义为没有沾污的表面, 或者是超出检测量极限的表面。